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200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs
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200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs

200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs उच्च प्रतिक्रियाशीलता और 1100 से 1650nm तरंग दैर्ध्य रेंज में बेहद तेज वृद्धि और गिरावट के समय के साथ व्यावसायिक रूप से उपलब्ध सबसे बड़ा InGaAs APD है, 1550nm पर चरम प्रतिक्रिया आदर्श रूप से आंखों के लिए सुरक्षित रेंजफाइंडिंग अनुप्रयोगों, मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार के लिए उपयुक्त है। ओटीडीआर और ऑप्टिकल कोहेरेंस टोमोग्राफी। चिप को एक संशोधित टीओ पैकेज में भली भांति बंद करके सील किया गया है, पिगटेल विकल्प भी उपलब्ध है।

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उत्पाद वर्णन

1. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APD का सारांश

200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs उच्च प्रतिक्रियाशीलता और 1100 से 1650nm तरंग दैर्ध्य रेंज में बेहद तेज वृद्धि और गिरावट के समय के साथ व्यावसायिक रूप से उपलब्ध सबसे बड़ा InGaAs APD है, 1550nm पर चरम प्रतिक्रिया आदर्श रूप से आंखों के लिए सुरक्षित रेंजफाइंडिंग अनुप्रयोगों, मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार के लिए उपयुक्त है। ओटीडीआर और ऑप्टिकल कोहेरेंस टोमोग्राफी।
चिप को एक संशोधित टीओ पैकेज में भली भांति बंद करके सील किया गया है, पिगटेल विकल्प भी उपलब्ध है।

2. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APD का परिचय

200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs उच्च प्रतिक्रियाशीलता और 1100 से 1650nm तरंग दैर्ध्य रेंज में बेहद तेज वृद्धि और गिरावट के समय के साथ व्यावसायिक रूप से उपलब्ध सबसे बड़ा InGaAs APD है, 1550nm पर चरम प्रतिक्रिया आदर्श रूप से आंखों के लिए सुरक्षित रेंजफाइंडिंग अनुप्रयोगों, मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार के लिए उपयुक्त है। ओटीडीआर और ऑप्टिकल कोहेरेंस टोमोग्राफी।
चिप को एक संशोधित टीओ पैकेज में भली भांति बंद करके सील किया गया है, पिगटेल विकल्प भी उपलब्ध है।

3. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs की विशेषताएं

रेंज 1100nm-1650nm का पता लगाएं;

व्यापक गतिशील रेंज;

उच्च जिम्मेदारी;

कम गहरा करंट;

मानक TO-46 पैकेज।

4. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs का अनुप्रयोग

प्रकाशीय संवेदक;

मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार।

5. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs की पूर्ण अधिकतम रेटिंग

पैरामीटर प्रतीक स्थिति न्यूनतम. अधिकतम. इकाई
पीडी रिवर्स वोल्टेज वी.आर सीडब्ल्यू - वीबीआर V
आगे प्रवाह अगर सीडब्ल्यू - 10 एमए
उलटी बिजली आईआर सीडब्ल्यू - 10 एमए
परिचालन तापमान ऊपर केस का तापमान -40 +85
भंडारण तापमान टीएसटीजी परिवेश का तापमान -40 +85
लीड सोल्डरिंग तापमान/समय टी - - 260/10 â/एस

5. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs की इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल विशेषताएँ (T=25â)

पैरामीटर प्रतीक स्थिति न्यूनतम. प्रकार. अधिकतम. इकाई
तरंग दैर्ध्य रेंज λ   1100 - 1650 एनएम
सक्रिय क्षेत्र φ - - 200 - उम
ज़िम्मेदारी दोबारा एम=1,λ=1550एनएम 0.80 - - ए/डब्ल्यू
गुणन कारक M VR=VBR-3, λ=1550nm,Ïe=1uW 10 - - -
डार्क करेंट पहचान VR=VBR-3, Ïe=0 - - 35 ना
रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज वीबीआर आईडी=10μए, Ïई=0 40 - 55 V
बैंडविड्थ बीडब्ल्यू -3डीबी बिंदु, एम=10, आरएल=50Ω - 1.25 - गीगा
समाई C एम=10, Ïई=0, एफ=1मेगाहर्ट्ज - - 2 पीएफ

6. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs का पैकेज ड्राइंग और पिन-आउट परिभाषा (यूनिट: मिमी)

7. 200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs की डिलीवरी, शिपिंग और सर्विसिंग

शिपिंग से पहले सभी उत्पादों का परीक्षण किया गया है;

सभी उत्पादों पर 1-3 साल की वारंटी है। (गुणवत्ता की गारंटी अवधि के बाद उचित रखरखाव सेवा शुल्क लेना शुरू हुआ।)

हम आपके व्यवसाय की सराहना करते हैं और तत्काल 7 दिनों की वापसी नीति प्रदान करते हैं। (आइटम प्राप्त करने के 7 दिन बाद);

यदि आप हमारे स्टोर से जो आइटम खरीदते हैं, वे उत्तम गुणवत्ता के नहीं हैं, यानी वे निर्माताओं के विनिर्देशों के लिए इलेक्ट्रॉनिक रूप से काम नहीं करते हैं, तो बस उन्हें प्रतिस्थापन या धनवापसी के लिए हमें लौटा दें;

यदि आइटम ख़राब हैं, तो कृपया डिलीवरी के 3 दिनों के भीतर हमें सूचित करें;

धनवापसी या प्रतिस्थापन के लिए अर्हता प्राप्त करने के लिए किसी भी वस्तु को उसकी मूल स्थिति में लौटाया जाना चाहिए;

खरीदार सभी शिपिंग लागत के लिए जिम्मेदार है।

8. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

प्रश्न: आप कौन सा सक्रिय क्षेत्र चाहेंगे?

उत्तर: हमारे पास 0.3 मिमी 0.5 मिमी 1 मिमी सक्रिय क्षेत्र हिमस्खलन फोटोडायोड हैं।

प्रश्न: कनेक्टर के लिए क्या आवश्यकता है?

ए: बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स आपकी आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित कर सकता है।

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