50um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड्स APDs सबसे बड़ा व्यावसायिक रूप से उपलब्ध InGaAs APD है, जिसमें उच्च उत्तरदायित्व और 900 से 1700nm तरंग दैर्ध्य रेंज में अत्यधिक तेजी से वृद्धि और गिरावट का समय है, 1550nm पर पीक रिस्पॉन्सिबिलिटी आंखों-सुरक्षित रेंजफाइंडिंग अनुप्रयोगों, मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार के लिए आदर्श रूप से अनुकूल है। OTDR और ऑप्टिकल सुसंगतता टोमोग्राफी। चिप को एक संशोधित TO पैकेज में भली भांति बंद करके सील किया गया है, पिगटेल विकल्प भी उपलब्ध है।
50um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड्स APDs सबसे बड़ा व्यावसायिक रूप से उपलब्ध InGaAs APD है, जिसमें उच्च उत्तरदायित्व और 900 से 1700nm तरंग दैर्ध्य रेंज में अत्यधिक तेजी से वृद्धि और गिरावट का समय है, 1550nm पर पीक रिस्पॉन्सिबिलिटी आंखों-सुरक्षित रेंजफाइंडिंग अनुप्रयोगों, मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार के लिए आदर्श रूप से अनुकूल है। ओटीडीआर और ऑप्टिकल कोहेरेंस टोमोग्राफी।
चिप को संशोधित TO पैकेज में भली भांति बंद करके सील किया गया है, पिगटेल विकल्प भी उपलब्ध है।
50um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड्स APDs सबसे बड़ा व्यावसायिक रूप से उपलब्ध InGaAs APD है, जिसमें उच्च उत्तरदायित्व और 900 से 1700nm तरंग दैर्ध्य रेंज में अत्यधिक तेजी से वृद्धि और गिरावट का समय है, 1550nm पर पीक रिस्पॉन्सिबिलिटी आंखों-सुरक्षित रेंजफाइंडिंग अनुप्रयोगों, मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार के लिए आदर्श रूप से अनुकूल है। ओटीडीआर और ऑप्टिकल कोहेरेंस टोमोग्राफी।
चिप को संशोधित TO पैकेज में भली भांति बंद करके सील किया गया है, पिगटेल विकल्प भी उपलब्ध है।
रेंज का पता लगाएं 900nm-1700nm;
गतिशील चौड़ा क्षेत्र;
उच्च जिम्मेदारी;
कम अंधेरा वर्तमान;
मानक TO-46 पैकेज।
प्रकाशीय संवेदक;
मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार।
| पैरामीटर | प्रतीक | स्थिति | न्यूनतम। | मैक्स। | इकाई |
| पीडी रिवर्स वोल्टेज | वी.आर. | सीडब्ल्यू | - | 60 | V |
| आगे प्रवाह | अगर | सीडब्ल्यू | - | 3 | एमए |
| परिचालन तापमान | ऊपर | केस तापमान | -40 | +85 | ℃ |
| भंडारण तापमान | टीएसटीजी | परिवेश का तापमान | -40 | +85 | ℃ |
| लीड सोल्डरिंग तापमान / समय | टी | - | - | 260/10 | ℃/S |
| पैरामीटर | प्रतीक | स्थिति | न्यूनतम। | टाइप करें। | मैक्स। | इकाई |
| तरंग दैर्ध्य रेंज | λ | 900 | - | 1700 | एनएम | |
| सक्रिय क्षेत्र | φ | - | - | 50 | - | उम |
| ज़िम्मेदारी | पुनः | एम = 1,λ=1310nm | 0.85 | - | - | ए/डब्ल्यू |
| गुणन कारक | M | VR=VBR-3, »=1310nm,φe=1uW | 10 | - | - | - |
| डार्क करेंट | पहचान | VR=VBR-3, e=0 | - | - | 10 | ना |
| रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज | वीबीआर | आईडी = 10μए, φe=0 | 40 | 43 | 45 | V |
| -3 डीबीएम बैंडविड्थ | बीडब्ल्यू | एम = 10, आरएल = 50Î © | 2.0 | - | - | गीगा |
| समाई | C | एम = 10, φई = 0 | - | - | 0.5 | पीएफ |
शिपिंग से पहले सभी उत्पादों का परीक्षण किया गया है;
सभी उत्पादों की 1-3 साल की वारंटी है। (गुणवत्ता गारंटी अवधि के बाद उचित रखरखाव सेवा शुल्क चार्ज करना शुरू हुआ।)
हम आपके व्यवसाय की सराहना करते हैं और तत्काल 7 दिनों की वापसी नीति प्रदान करते हैं। (आइटम प्राप्त करने के 7 दिन बाद);
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धनवापसी या प्रतिस्थापन के लिए अर्हता प्राप्त करने के लिए किसी भी आइटम को उनकी मूल स्थिति में वापस किया जाना चाहिए;
खरीदार सभी शिपिंग लागत के लिए जिम्मेदार है।
ए: हमारे पास 0.3 मिमी 0.5 मिमी 1 मिमी सक्रिय क्षेत्र हिमस्खलन फोटोडायोड हैं।
प्रश्न: कनेक्टर के लिए क्या आवश्यकता है?ए: बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स आपकी आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित कर सकते हैं।
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