ब्लू लाइट सेमीकंडक्टर लेजर संरचना और कार्य सिद्धांत

सक्रिय क्षेत्र सामग्री के आधार पर, ब्लू लाइट सेमीकंडक्टर लेजर की अर्धचालक सामग्री की बैंड गैप चौड़ाई भिन्न होती है, इसलिए अर्धचालक लेजर विभिन्न रंगों के प्रकाश का उत्सर्जन कर सकता है। ब्लू लाइट सेमीकंडक्टर लेजर की सक्रिय क्षेत्र सामग्री GAN या INGAN है। एक विशिष्ट GAN- आधारित लेजर की संरचना को चित्र 1 में दिखाया गया है। जेड दिशा में नीचे से ऊपर तक, यह एन-इलेक्ट्रोड, जीएएन सब्सट्रेट, एन-टाइप A1gan लोअर कॉन्फिनेमेंट लेयर, एन-टाइप एचजीएन लोअर वेवगाइड लेयर, मल्टी-क्वांटम वेल (एमक्यूडब्ल्यू) सक्रिय क्षेत्र (एमक्यूडब्ल्यू), पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप, पी-टाइप लेयर, ऊपरी कारावास परत, पी-टाइप जीएएन परत, और पी-इलेक्ट्रोड

मल्टी-क्वांटम वेल एक्टिव क्षेत्र (MQWS) का सामग्री अपवर्तक सूचकांक उच्चतम है, और सक्रिय क्षेत्र के दोनों किनारों पर सामग्री का अपवर्तक सूचकांक घटती प्रवृत्ति को दर्शाता है। मध्य और नीचे और नीचे उच्च के साथ z दिशा में सामग्री के अपवर्तक सूचकांक के वितरण के माध्यम से, z दिशा में प्रकाश क्षेत्र को ऊपरी और निचले वेवगाइड परतों के बीच सीमित किया जा सकता है। वाई दिशा में, लेजर के दोनों किनारों पर पी-प्रकार की परत का हिस्सा नक़्क़ाशी द्वारा हटा दिया जाता है, और सिलिकॉन डाइऑक्साइड (SiO2) की एक पतली परत जमा की जाती है, अंततः एक रिज संरचना का निर्माण करती है। सिलिकॉन डाइऑक्साइड और हवा का अपवर्तक सूचकांक पी-प्रकार की परत की तुलना में छोटा होता है, इसलिए वाई दिशा में अपवर्तक सूचकांक मध्य में और दोनों पक्षों पर उच्च होता है, और प्रकाश क्षेत्र रिज के मध्य तक सीमित होता है। प्रकाश क्षेत्र पर Y और Z दिशाओं के सीमित प्रभाव के कारण, YZ विमान में प्रकाश क्षेत्र एक अण्डाकार वितरण प्रस्तुत करता है। एक्स दिशा में, आगे और पीछे की गुहा की सतहों का गठन यांत्रिक दरार या नक़्क़ाशी द्वारा किया जा सकता है, और ढांकता हुआ फिल्म को वाष्पित करके सामने और पीछे के गुहा की सतहों की परावर्तन को समायोजित किया जा सकता है। आमतौर पर, सामने की गुहा की सतह की परावर्तकता यह सुनिश्चित करने के लिए पीछे की गुहा की सतह से छोटी होती है कि लेजर सामने की गुहा की सतह से उत्सर्जित होता है।