300um InGaAs फोटोडायोड चिप 900nm से 1700nm तक शानदार प्रतिक्रिया प्रदान करता है, दूरसंचार के लिए और IR डिटेक्शन के लिए एकदम सही है। फोटोडायोड उच्च बैंडविड्थ और सक्रिय संरेखण अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही है।
मल्टी वेवलेंथ गेन चपटा EDFA एम्पलीफायर ऑप्टिकल फाइबर संचार प्रणाली में उपयोग किए जाने वाले फाइबर एम्पलीफायरों की एक श्रृंखला है। यह एक ही समय में सी-बैंड में कई तरंग दैर्ध्य संकेतों को बढ़ा सकता है, और सभी तरंग दैर्ध्य के बीच समान लाभ प्राप्त कर सकता है, जिसमें समतलता 1.5dBm है जो व्यापक स्पेक्ट्रम, बहु तरंग दैर्ध्य, फ्लैट लाभ, उच्च लाभ और कम शोर के साथ है।
BoxOptronics सिंगल-फ़्रीक्वेंसी स्पंदित अर्बियम-डॉप्ड फ़ाइबर एम्पलीफायर EDFA एक फ़ाइबर एम्पलीफायर है जो संकीर्ण लाइनविड्थ सिंगल-फ़्रीक्वेंसी नैनोसेकंड पल्स के लिए समर्पित है। इनपुट लेजर पल्स की वर्णक्रमीय लाइनविड्थ KHz स्तर जितनी कम हो सकती है। यह गैर-रेखीय दालों को प्रभावी ढंग से दबाते हुए उच्च पल्स ऊर्जा उत्पादन प्राप्त कर सकता है। रैखिक प्रभाव, एकल मोड या ध्रुवीकरण फाइबर आउटपुट को बनाए रखता है। वितरित सेंसिंग, डॉपलर लिडार और अन्य अनुप्रयोगों में उपयोग किया जा सकता है।
यह 1550nm 500mW सिंगल वेवलेंथ CW DFB फाइबर लेजर मॉड्यूल सिंगल-मोड फाइबर के उच्च-शक्ति आउटपुट का एहसास करने के लिए DFB लेजर चिप और हाई-पावर गेन ऑप्टिकल पथ मॉड्यूल को अपनाता है। पेशेवर रूप से डिज़ाइन किया गया लेजर ड्राइविंग और तापमान नियंत्रण सर्किट लेजर के सुरक्षित और स्थिर संचालन को सुनिश्चित करता है।
एल-बैंड एर्बियम-डॉप्ड फाइबर को एल-बैंड सिंगल-चैनल और मल्टी-चैनल फाइबर एम्पलीफायरों, एएसई प्रकाश स्रोतों, महानगरीय क्षेत्र नेटवर्क, सीएटीवी और डीडब्ल्यूडीएम के लिए ईडीएफए के लिए डोप और अनुकूलित किया गया है। उच्च डोपिंग से एरबियम फाइबर की लंबाई कम हो सकती है, जिससे फाइबर का नॉनलाइनियर प्रभाव कम हो जाता है। फाइबर को 980 एनएम या 1480 एनएम पर पंप किया जा सकता है, और संचार फाइबर कनेक्शन के साथ इसमें कम हानि और अच्छी स्थिरता होती है।
500um InGaAs पिन फोटोडायोड चिप 900nm से 1700nm तक शानदार प्रतिक्रिया प्रदान करता है, दूरसंचार के लिए और IR डिटेक्शन के लिए एकदम सही है। फोटोडायोड उच्च बैंडविड्थ और सक्रिय संरेखण अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही है।
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