200um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप को विशेष रूप से कम अंधेरे, कम समाई और उच्च हिमस्खलन लाभ के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस चिप के उपयोग से उच्च संवेदनशीलता वाला ऑप्टिकल रिसीवर प्राप्त किया जा सकता है।
बॉक्सऑप्ट्रोनिक्स विकिरण प्रतिरोधी एर्बियम डोप्ड फाइबर में अच्छी विकिरण-विरोधी विशेषताएं हैं, जो एर्बियम-डोपेड फाइबर पर उच्च-ऊर्जा आयन विकिरण के प्रभाव को प्रभावी ढंग से कम कर सकती हैं। फाइबर में अच्छी स्थिरता होती है। इसे 980 एनएम या 1480 एनएम द्वारा पंप किया जा सकता है, और संचार ऑप्टिकल फाइबर के साथ कम-नुकसान कनेक्शन का एहसास हो सकता है।
हाई पावर सी-बैंड 5W 37dBm EDFA फाइबर ऑप्टिकल एम्पलीफायर (EYDFA-HP) डबल-क्लैड एर्बियम-डोप्ड फाइबर एम्पलीफायर तकनीक पर आधारित है, जो एक अद्वितीय ऑप्टिकल पैकेजिंग प्रक्रिया का उपयोग करता है, जो एक विश्वसनीय हाई-पावर लेजर सुरक्षा डिजाइन के साथ जुड़ा हुआ है। 1540~1565nm तरंग दैर्ध्य रेंज में उच्च-शक्ति लेजर आउटपुट प्राप्त करें। उच्च शक्ति और कम शोर के साथ इसका उपयोग फाइबर ऑप्टिक संचार, लिडार आदि में किया जा सकता है।
500um बड़े क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप को विशेष रूप से कम अंधेरे, कम समाई और उच्च हिमस्खलन लाभ के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस चिप के उपयोग से उच्च संवेदनशीलता वाला ऑप्टिकल रिसीवर प्राप्त किया जा सकता है।
यह 1550nm 10W CW हाई पावर फाइबर लेजर सिंगल-मोड फाइबर के हाई-पावर आउटपुट का एहसास करने के लिए DFB लेजर चिप और हाई-पावर गेन ऑप्टिकल पाथ मॉड्यूल को अपनाता है। पेशेवर रूप से डिज़ाइन किया गया लेजर ड्राइविंग और तापमान नियंत्रण सर्किट लेजर के सुरक्षित और स्थिर संचालन को सुनिश्चित करता है।
Boxoptronics ध्रुवीकरण-रखरखाव विकिरण प्रतिरोधी एर्बियम-डोपेड फाइबर में अच्छी विकिरण प्रतिरोधी विशेषताएं होती हैं, जो एर्बियम-डोपेड फाइबर पर उच्च-ऊर्जा आयन विकिरण के प्रभाव को प्रभावी ढंग से कम कर सकती हैं, इसमें उच्च द्विध्रुवीय और उत्कृष्ट ध्रुवीकरण-रखरखाव गुण भी होते हैं। फाइबर में अच्छी स्थिरता है। इसे 980 एनएम या 1480 एनएम पर पंप किया जा सकता है, और संचार ऑप्टिकल फाइबर के साथ कम-हानि कनेक्शन का एहसास कर सकता है।
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