InGaAs फोटोडायोड निर्माता

हमारे कारखाने फाइबर लेजर मॉड्यूल, अल्ट्राफास्ट लेजर मॉड्यूल, उच्च शक्ति डायोड लेजर प्रदान करते हैं। हमारी कंपनी विदेशी प्रक्रिया प्रौद्योगिकी को अपनाती है, उन्नत उत्पादन और परीक्षण उपकरण है, डिवाइस युग्मन पैकेज में, मॉड्यूल डिज़ाइन में अग्रणी तकनीक और लागत नियंत्रण लाभ है, साथ ही साथ उत्तम गुणवत्ता आश्वासन प्रणाली, ग्राहक के लिए उच्च प्रदर्शन प्रदान करने की गारंटी दे सकती है। विश्वसनीय गुणवत्ता वाले ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उत्पाद।

गरम सामान

  • CO2 का पता लगाने के लिए 1580nm DFB बटरफ्लाई लेजर डायोड

    CO2 का पता लगाने के लिए 1580nm DFB बटरफ्लाई लेजर डायोड

    CO2 डिटेक्शन के लिए 1580nm DFB बटरफ्लाई लेजर डायोड विशेष रूप से कार्बन मोनोऑक्साइड (CO), कार्बन डाइऑक्साइड (CO2), और हाइड्रोजन सल्फाइड (H2S) को लक्षित करने वाले सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इन लेजर डायोड का संकीर्ण लाइनविड्थ एकल मोड ऑपरेशन अनुप्रयोगों और वातावरणों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए आदर्श है।
  • 1410nm DFB बटरफ्लाई लेजर डायोड

    1410nm DFB बटरफ्लाई लेजर डायोड

    1410nm DFB बटरफ्लाई लेजर डायोड उच्च उत्पादन शक्ति, कम शोर और अल्ट्रा संकीर्ण लाइनविड्थ आदर्श रूप से कई अनुप्रयोगों के लिए इस अर्धचालक ऑप्टिकल समाधान की स्थिति में है जहां पूर्ण सटीकता, मांग क्षेत्र की स्थिति पर आजीवन विश्वसनीयता, और उच्च रिज़ॉल्यूशन महत्वपूर्ण हैं, जैसे कि रिमोट सेंसिंग, वितरित तापमान, तनाव, या ध्वनिक फाइबर ऑप्टिक निगरानी, ​​​​उच्च संकल्प स्पेक्ट्रोस्कोपी, एलआईडीएआर और अन्य सटीक मेट्रोलॉजी अनुप्रयोग।
  • 975nm 976nm 980nm 30W 2-पिन फाइबर युग्मित डायोड लेजर

    975nm 976nm 980nm 30W 2-पिन फाइबर युग्मित डायोड लेजर

    975nm 976nm 980nm 30W 2-पिन फाइबर कपल्ड डायोड लेजर सिंगल-एमिटर लेजर डायोड, हाई ब्राइटनेस फाइबर कपलिंग और सरलीकृत पैकेजिंग की नींव पर बनाया गया है, यह उच्चतम चमक और उच्चतम आउटपुट पावर प्रदान करता है।
  • सबमाउंट COS लेजर डायोड पर 976nm 12W चिप

    सबमाउंट COS लेजर डायोड पर 976nm 12W चिप

    सबमाउंट COS लेजर डायोड पर 976nm 12W चिप उच्च विश्वसनीयता, स्थिर आउटपुट पावर, उच्च शक्ति, उच्च दक्षता, लंबे जीवनकाल और उच्च अनुकूलता के कई फायदों के साथ AuSn बॉन्डिंग और P डाउन पैकेज को नियोजित करती है और बाजार में व्यापक रूप से लागू होती है। यह चिप ऑन है सबमाउंट लेजर डायोड पैकेज को सही ढंग से हीटसिंक करने के लिए सोल्डरिंग की आवश्यकता होती है।
  • 50um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs

    50um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड APDs

    50um InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड्स APDs सबसे बड़ा व्यावसायिक रूप से उपलब्ध InGaAs APD है, जिसमें उच्च उत्तरदायित्व और 900 से 1700nm तरंग दैर्ध्य रेंज में अत्यधिक तेजी से वृद्धि और गिरावट का समय है, 1550nm पर पीक रिस्पॉन्सिबिलिटी आंखों-सुरक्षित रेंजफाइंडिंग अनुप्रयोगों, मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार के लिए आदर्श रूप से अनुकूल है। OTDR और ऑप्टिकल सुसंगतता टोमोग्राफी। चिप को एक संशोधित TO पैकेज में भली भांति बंद करके सील किया गया है, पिगटेल विकल्प भी उपलब्ध है।
  • 1060nm SLD ब्रॉडबैंड प्रकाश स्रोत

    1060nm SLD ब्रॉडबैंड प्रकाश स्रोत

    1060 एनएम एसएलडी ब्रॉडबैंड प्रकाश स्रोत ब्रॉडबैंड स्पेक्ट्रम को आउटपुट करने के लिए एक सुपरल्यूमिनसेंट डायोड का उपयोग करता है और इसमें उच्च आउटपुट पावर होती है, जो फाइबर ऑप्टिक सेंसिंग जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है। यह प्रकाश स्रोत की स्थिति की निगरानी की सुविधा के लिए एक संचार इंटरफ़ेस और होस्ट कंप्यूटर सॉफ़्टवेयर प्रदान कर सकता है।

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